註釋
本書特色 本書針對製造半導體的主要裝置詳盡解說。介紹半導體所有製程及與使用裝置的關係，並深入了解裝置的構造、動作原理及性能，輔以圖解進行細部分析，建立系統化知識。內容簡介 你我日常生活離不開的電腦、手機等電子產品，它們具備的智慧型功能要靠半導體才得以完成，因此半導體是資訊化社會不可或缺的核心要素。本書即針對半導體如何製造的具體內容來說明，從實踐的觀點專業分析半導體製造的整體架構，著重在半導體的所有製程與具代表性製造裝置。目錄前言第1章半導體製程概觀1-1前段製程與後段製程前段製程安裝元件、配線；後段製程進行封裝、選別、檢驗等81-2元件形成製程(前段製程 FEOL) ○1從晶圓洗淨、氧化到閘極氧化層之形成21-3元件形成製程(前段製程 FEOL) ○2閘極多晶矽之形成到埋設接觸孔161-4配線形成製程(前段製程 BEOL)將電晶體等以金屬配線、接續後形成迴路201-5晶圓電路檢查製程確認埋入晶圓內晶片迴路特性，判定其優、劣241-6組裝製程(後段製程)將優質的晶片與外埠端子連接，用薄膜來保護晶片261-7選別、檢驗製程(後段製程) 逐個檢查已完成之LSI電力特性、尺寸、外觀28Column 新材料、新技術持續登場291-8製造流程與所使用之裝置各元件構成零組件之流程概觀30第2章前段製程(洗淨~硬烤)之主要製程與裝置2-1洗淨 ○1一般使用藥劑之化學性清除方法402-2洗淨○2晶圓洗淨技術與新興洗淨技術432-3乾燥晶圓處理後務必要水洗、乾燥 452-4氧化將晶圓矽表面轉換為矽氧化層472-5 化學氣相沈積(CVD) ○1讓反應瓦斯進行化學反應，沉積出膜492-6化學氣相沈積(CVD) ○2ALD與Cat-CVD522-7光阻劑塗佈圖形(pattern)加工前之光阻劑塗佈542-8 預烤 將光阻劑稍微加熱562-9曝光 ○1步進機(stepper) 、掃描機(scanner)、浸潤式曝光裝置572-1曝光○2EUV與圖形解析度提升技術592-2曝光 ○3電子束曝光裝置62Column曝光裝置方式 632-3顯像?曝後烤在光阻劑上製作圖形，燒刻64 第1章前段製程(乾式蝕刻~金屬鍍膜) 之主要製程與裝置3-1乾式蝕刻 ○1反應性離子蝕刻裝置